公开/公告号CN105131207B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-10-10
原文格式PDF
申请/专利权人 复旦大学;
申请/专利号CN201510416616.1
申请日2015-07-16
分类号C08F292/00(20060101);C08F226/06(20060101);C08F222/38(20060101);C08F220/54(20060101);C08F220/06(20060101);C08F283/06(20060101);
代理机构31200 上海正旦专利代理有限公司;
代理人陆飞;盛志范
地址 200433 上海市杨浦区邯郸路220号
入库时间 2022-08-23 10:01:39
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-10-10
授权
授权
2016-01-06
实质审查的生效 IPC(主分类):C08F 292/00 申请日:20150716
实质审查的生效
2016-01-06
实质审查的生效 IPC(主分类):C08F 292/00 申请日:20150716
实质审查的生效
2015-12-09
公开
公开
2015-12-09
公开
公开
机译: 带有P阱的CMOS FET,其漏极下具有P型晕圈,而源区下具有反掺杂N型晕圈
机译: 银纳米线,银纳米线的制造方法,核壳纳米结构,核壳纳米结构的制造方法,核骨架纳米结构,核骨架纳米结构的制造方法
机译: 银纳米线,银纳米线的制造方法,核壳纳米结构,核壳纳米结构的制造方法,核骨架纳米结构,核骨架纳米结构的制造方法