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标签和数据共同存储在物理行中的DRAM高速缓存

摘要

本发明公开了一种用于在计算系统的大型基于行的存储器中进行有效高速缓存数据存取的系统和方法。计算系统包括处理单元和集成三维(3D)动态随机存取存储器(DRAM)。所述处理单元将3DDRAM用作高速缓存。所述3D DRAM的存储器阵列组中的多行中的每一行至少存储多个高速缓存标签和由所述多个高速缓存标签指示的多条相应高速缓存线。响应于从所述处理单元接收存储器请求,所述3D DRAM根据所述接收的存储器请求在由所述接收的存储器请求内的高速缓存标签指示的给定高速缓存线上执行存储器存取。可以使用单个复杂DRAM事务而不是使用多个DRAM事务来降低延迟和功耗。

著录项

  • 公开/公告号CN103959260B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-10-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 超威半导体公司;

    申请/专利号CN201280059143.9

  • 发明设计人 加布里埃尔·H·洛;马克·D·希尔;

    申请日2012-11-21

  • 分类号

  • 代理机构上海胜康律师事务所;

  • 代理人李献忠

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 10:01:34

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-10-13

    授权

    授权

  • 2014-12-31

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 12/08 申请日:20121121

    实质审查的生效

  • 2014-12-31

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 12/08 申请日:20121121

    实质审查的生效

  • 2014-07-30

    公开

    公开

  • 2014-07-30

    公开

    公开

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