公开/公告号CN1257532C
专利类型发明授权
公开/公告日2006-05-24
原文格式PDF
申请/专利权人 联华电子股份有限公司;
申请/专利号CN02126321.3
申请日2002-07-19
分类号
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人王学强
地址 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行二路三号
入库时间 2022-08-23 08:58:30
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2006-05-24
授权
授权
2004-09-15
实质审查的生效
实质审查的生效
2003-10-22
公开
公开
机译: 低介电常数材料的层构图方法
机译: 低介电常数材料的层构图方法
机译: 在介电体上准备开口的方法,在基体上提供的低介电常数层上准备开口的方法,在多芯片组件上制备氟碳聚合物层的窗口的方法,去除介电层的脊,电绝缘层的方法电气覆盖,覆盖和集成电路芯片的电路封装