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构图低介电常数介电层的方法

摘要

一种构图低介电常数介电层的方法。直接暴露在高能量流下来构图低介电常数介电层,而不需要使用任何的光刻胶层,借以使低介电常数介电层曝光的部分固化,而变的不溶于显影溶液中,低介电常数介电层未曝光的部分则会溶解在显影溶液中,并将会在显影步骤中被移除,组件的效能与可靠度均可因此得到改善,且可以简化工艺步骤。

著录项

  • 公开/公告号CN1257532C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2006-05-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 联华电子股份有限公司;

    申请/专利号CN02126321.3

  • 发明设计人 张鼎张;刘柏村;许钲宗;

    申请日2002-07-19

  • 分类号

  • 代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人王学强

  • 地址 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行二路三号

  • 入库时间 2022-08-23 08:58:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2006-05-24

    授权

    授权

  • 2004-09-15

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-10-22

    公开

    公开

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