在衬底不同深度有接触着陆区的装置的形成方法及3‑D结构

摘要

本发明公开了一种在衬底不同深度有接触着陆区的装置的形成方法及3‑D结构，该3‑D结构是使用上述方法所制造，包括在不同深度的有源层的一叠层，此叠层具有多个接触着陆区于一接触区开口内个别的有源层上。多个层间导体各包括于接触区开口内延伸至一接触着陆区的一第一部分，和在高于最上方的有源层处部分地落在接触区开口外的一第二部分。第一部分具有名义上相等于接触区开口的横向尺寸的一横向尺寸Y₁，第二部分具有大于接触区开口的横向尺寸的一横向尺寸Y₂。有源层可为一3‑D存储器装置的位线或字线、或集成电路中的其他有源层。