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一种替代双端口静态存储器的存储器结构

摘要

本发明公开了一种替代双端口静态存储器的存储器结构,采用高频时钟单端口静态存储器代替双端口静态存储器,包括:一锁存器,将输入的高频时钟区分为奇周期指示信号和偶周期指示信号;两个先进先出FIFO暂存器,用于暂时存放数据,同时将访问端的数据总线信号从原工作时钟域切换到高频时钟域,而且要求切换后的数据总线信号只会在相应的高频时钟周期中有效;一选择器,在高频时钟的周期指示信号的控制下,将选通的数据总线信号最终输入给单端口静态存储器。本发明能使得芯片设计在面积上有所改进,从而降低芯片成本。

著录项

  • 公开/公告号CN103594109B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-09-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华虹集成电路有限责任公司;

    申请/专利号CN201210289586.9

  • 发明设计人 叶国平;

    申请日2012-08-15

  • 分类号

  • 代理机构上海浦一知识产权代理有限公司;

  • 代理人戴广志

  • 地址 201203 上海市浦东新区碧波路572弄39号

  • 入库时间 2022-08-23 10:00:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-09-15

    授权

    授权

  • 2015-04-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 11/413 申请日:20120815

    实质审查的生效

  • 2015-04-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 11/413 申请日:20120815

    实质审查的生效

  • 2014-02-19

    公开

    公开

  • 2014-02-19

    公开

    公开

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