基于标准CMOS工艺的超低功耗非易失性存储器

摘要

本发明公开了一种基于标准CMOS工艺的超低功耗非易失性存储器，它的编程和擦除操作均利用FN隧穿效应完成，解决功耗高的问题，缩小了存储单元结构的面积，包括多个存储单元，每个存储单元包括五个晶体管，分别为：控制管、第一读取管、第一选择管、第二选择管、第二读取管，所有的晶体管均为单多晶硅栅结构和相同厚度的栅氧化层，该存储单元与标准CMOS工艺兼容；本发明降低应用成本，减少技术开发周期，稳定性好，读取速度比较快，可靠性高。