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一种调控非晶硅薄膜光学带隙的方法

摘要

本发明公开了一种调控非晶硅薄膜光学带隙的方法,通过在非晶硅薄膜里加入钌元素实现对非晶硅薄膜光学带隙的调控。本发明通过在非晶网络中引入贵金属钌,在较低钌含量的情况下即可大幅度调控非晶硅薄膜的光学带隙。本发明可用于硅基薄膜叠层太阳能电池和红外探测器件等领域。

著录项

  • 公开/公告号CN104962872B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-09-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN201510399197.5

  • 申请日2015-07-09

  • 分类号

  • 代理机构成都弘毅天承知识产权代理有限公司;

  • 代理人杨保刚

  • 地址 611731 四川省成都市高新西区西源大道2006号

  • 入库时间 2022-08-23 10:00:37

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-09-22

    授权

    授权

  • 2015-11-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/35 申请日:20150709

    实质审查的生效

  • 2015-11-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/35 申请日:20150709

    实质审查的生效

  • 2015-10-07

    公开

    公开

  • 2015-10-07

    公开

    公开

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