法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-09-22
授权
授权
2016-09-07
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0224 申请日:20160406
实质审查的生效
2016-09-07
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0224 申请日:20160406
实质审查的生效
2016-08-10
公开
公开
2016-08-10
公开
公开
机译: 具有碳纳米管阴极的三极管型场发射器件阴极三极管型射频真空装置及其场发射显示器
机译: 用于场发射平板显示器的三极管型或二极管型阴极结构,具有尺寸适合于覆盖未被栅电极覆盖的隔离层区域和由栅导体覆盖的电阻层的槽
机译: 一种用埋入式浮栅形成浮栅存储器单元的半导体存储器阵列的自对准方法,并由此形成了一种存储器阵列