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浮栅式GaAs阴极真空三极管

摘要

本发明涉及一种浮栅式GaAs阴极真空三极管,由光电阴极组件、第一可伐合金、第二可伐合金和陶瓷管组成,所述光电阴极组件与第一可伐合金通过铟封材料连接,第一可伐合金通过陶瓷管与第二可伐合金相连,三极管内部为真空,第一可伐合金作为光电阴极组件的管脚,第二可伐合金作为三极管收集电子的阳极以及管脚,所述光电阴极组件包括自下至上依次设置的衬底、窗口层、第一增透层、浮栅层、第二增透层和玻璃层。本发明在现有的GaAs阴极真空二极管结构的基础上增加一层控制浮栅层结构,很好地解决了现有GaAs阴极真空二极管只有在外加电压下才能工作的问题,更有利于实验的测量。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-09-22

    授权

    授权

  • 2016-09-07

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0224 申请日:20160406

    实质审查的生效

  • 2016-09-07

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0224 申请日:20160406

    实质审查的生效

  • 2016-08-10

    公开

    公开

  • 2016-08-10

    公开

    公开

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