全局曝光方式的图像传感器像素结构及其控制方法

摘要

本发明公开了一种全局曝光方式的图像传感器像素结构及其控制方法，包括置于半导体基体中的光电二极管区，电荷传输晶体管，复位晶体管，源跟随晶体管，选择晶体管，还包括设于光电二极管区外围的多晶硅环和薄氧化层环、晶体管电容器件、N型离子区。多晶硅环为高电平时在光电二极管区感应出电场，为低电平时不感应出电场，光电二极管区的积分时间为多晶硅环高电平时间；晶体管电容器件位于N型离子区中，晶体管电容用来存储光电二极管区收集到的光电电荷，适用于全局曝光方式的图像传感器。