一种提高金属凸块在真空回流工艺中的成球率的方法

摘要

本发明提供一种半导体封装领域中提高金属凸块在真空回流工艺中的成球率的方法。具体包括以下几个步骤：(1)在UBM(凸点下金属)上形成球形或方形的金属焊料凸块；(2)将步骤(1)所制备的金属焊料凸块经过毛刷进行清洗；(3)将经过步骤(2)处理过的金属焊料凸块置于真空回流炉中进行回流；(4)步骤(3)中回流后的金属凸块在真空的条件下冷却至40℃以下。采用本发明的技术方案，可以改善金属凸块在真空回流工艺中成球率低的问题，成球率从原来的99.5％提高到了99.98％，同时也有效改善了金属凸块成球后的表面粗糙度。