一种低温烧结的高储能密度反铁电陶瓷材料及其制备方法

摘要

本发明涉及一种低温烧结的高储能密度反铁电陶瓷材料及其制备方法，该反铁电陶瓷材料化学成分符合化学通式Pb_0.97La_0.02(Zr_xSn_yTi_1‑x‑y)O₃ +awt. % CuO，其中，0.4≤x≤0.6，0.4≤y≤0.6，0.2≤a≤1，x、y为摩尔数，a为质量百分比。本发明通过选择合适的烧结助剂，调整合适的Zr/Sn/Ti比，得到可在950℃~1000℃下烧结的PLZST反铁电储能陶瓷材料。该材料具有高储能密度，高储能效率的特点。该反铁电陶瓷材料可用于制造储能多层陶瓷电容器，具有良好的应用前景。