法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-07-14
授权
授权
2015-09-16
实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/475 申请日:20150508
实质审查的生效
2015-09-16
实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/475 申请日:20150508
实质审查的生效
2015-08-19
公开
公开
2015-08-19
公开
公开
机译: 在主要<100>多晶硅膜上形成薄膜晶体管的方法
机译: 在主要<100>多晶硅膜上形成薄膜晶体管的方法
机译: 一种在(100)取向的硅上形成BIPOLAR / JFET的方法,以减少由于温度变化,应力和其他组装现象而引起的输入失调电压不稳定性的程度,