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一种TSV晶圆表面抛光方法

摘要

本发明一种TSV晶圆表面抛光方法,先用H2SO4溶液和双氧水混合溶液对TSV盲孔电镀晶圆表面的铜层进行腐蚀处理;然后采用热剥离双面胶带将晶圆粘接到陶瓷盘上,进行晶圆制样过程;再将晶圆整体放置于贴附抛光垫的转动盘上进行抛光去除铜层;最后加热取下陶瓷盘后采用Ta或Ti腐蚀液,去除TSV盲孔电镀晶圆表面对应的Ta或Ti阻挡层,完成对TSV晶圆表面的抛光。通过增加对TSV盲孔电镀晶圆表面的微处理,改善盲孔电镀晶圆表面状态,利于对铜层的抛光,降低抛光的成本;工艺操作简单,成本低,能够适用于不同尺寸晶圆及残片;通过采用热剥离双面胶带能提高晶圆制样过程中厚度均匀性,提高TSV盲孔电镀晶圆抛光后晶圆表面质量。

著录项

  • 公开/公告号CN104716090B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-07-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201510114943.1

  • 发明设计人 吴道伟;李克中;张波;郑晓琼;

    申请日2015-03-16

  • 分类号H01L21/768(20060101);B24B37/04(20120101);

  • 代理机构61200 西安通大专利代理有限责任公司;

  • 代理人李宏德

  • 地址 710068 陕西省西安市太白南路198号

  • 入库时间 2022-08-23 09:58:27

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-07-18

    授权

    授权

  • 2015-07-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20150316

    实质审查的生效

  • 2015-07-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20150316

    实质审查的生效

  • 2015-06-17

    公开

    公开

  • 2015-06-17

    公开

    公开

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