公开/公告号CN104716090B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-07-18
原文格式PDF
申请/专利权人 中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所;
申请/专利号CN201510114943.1
申请日2015-03-16
分类号H01L21/768(20060101);B24B37/04(20120101);
代理机构61200 西安通大专利代理有限责任公司;
代理人李宏德
地址 710068 陕西省西安市太白南路198号
入库时间 2022-08-23 09:58:27
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-07-18
授权
授权
2015-07-15
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20150316
实质审查的生效
2015-07-15
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20150316
实质审查的生效
2015-06-17
公开
公开
2015-06-17
公开
公开
机译: 使用加热的基板和冷却的电解液的硅通孔(TSV)中的铜芯片到芯片,电沉积芯片到晶圆和晶圆到晶圆的互连的方法
机译: 通过加热的基质和熔融电解质在铜硅通孔(TSV)中电解沉积铜芯片到晶片以进行晶圆和晶圆对晶圆互连的方法
机译: 通过导电硅酸盐和熔融电解质在全硅通孔(TSV)中电解沉积铜芯片到芯片,芯片到晶圆和晶圆到晶圆的互连的方法