法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-07-14
授权
授权
2016-09-07
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0224 申请日:20160520
实质审查的生效
2016-09-07
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0224 申请日:20160520
实质审查的生效
2016-08-10
公开
公开
2016-08-10
公开
公开
机译: 栅电极多晶硅/栅氧化物叠层覆盖有氟化氧化硅层和栅氧化层的氟化角的衬底
机译: 具有分层的栅电极叠层的栅极结构,其包括掺杂的多晶硅层和将金属氮化物沉积在多晶硅层上的,将金属氮化物夹在中间的金属氮化物阻挡层的栅金属层
机译: 具有覆盖超高集成半导体存储器件中使用的衬底部分的栅氧化物层和多晶硅层的栅堆叠的生产涉及在多晶硅层上施加厚的氮化物层