法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-01-27
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2006-07-12
授权
授权
2005-01-12
实质审查的生效
实质审查的生效
2004-11-10
公开
公开
机译: 用于光电子学,特别是用于强发光二极管的氢化铝气相氮化铟单晶生产氢化物气相外延方法,涉及利用铝,镓和铟金属的混合物
机译: 气相外延生长方法,半导体衬底的制造方法,半导体衬底和氢化物气相外延装置
机译: 利用氢化物气相外延生产氮化镓衬底的方法