一种基于薄膜半导体‑石墨烯异质结的光电探测器制备方法

摘要

本发明提供一种基于薄膜半导体‑石墨烯异质结的光电探测器制备方法，包括步骤：首先，提供一衬底，在所述衬底表面两侧生长金属电极；然后在所述衬底及金属电极表面生长薄膜半导体层；接着，去除部分薄膜半导体层，暴露出其中一侧的金属电极以及部分衬底；接着在整个结构表面形成石墨烯层；最后，去除所述薄膜半导体层表面多余的石墨烯层，剩下的石墨烯层与所述薄膜半导体层接触，形成异质结。本发明通过ALD技术生长薄膜半导体与石墨形成异质结作为光电探测器的有源区，该结构可以制备在任意半导体、绝缘体、甚至柔性衬底上，易于硅基集成，且有效节约了工艺成本。