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一种基于石墨烯-半导体异质结的位敏感光电探测器

摘要

本发明公开了一种基于石墨烯‑半导体异质结的位敏感光电探测器,该探测器结构自下而上依次为金属背电极1、半导体层2和开孔绝缘层3,其中开孔绝缘层3的开孔处覆盖有石墨烯层4,且石墨烯层4的边缘伸出开孔绝缘层3的开孔,平铺于开孔绝缘层3的上表面;在平铺于开孔绝缘层3上表面的石墨烯层4上表面设置有水平X轴方向的金属对电极和垂直Y轴方向的金属对电极;覆盖在开孔绝缘层3开孔处的石墨烯层4上表面修饰有等离激元金属纳米结构6。本发明提出的位敏感光电探测器具有响应速度快、位置探测灵敏度高,能够探测微弱光信号的特点,在光电信号检测领域具有很好的应用前景。

著录项

  • 公开/公告号CN109768114A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-05-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东南大学;

    申请/专利号CN201811473208.X

  • 发明设计人 翟雨生;王琦龙;计吉焘;

    申请日2018-12-04

  • 分类号

  • 代理机构南京苏高专利商标事务所(普通合伙);

  • 代理人柏尚春

  • 地址 210096 江苏省南京市玄武区四牌楼2号

  • 入库时间 2024-02-19 10:10:54

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-06-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/109 申请日:20181204

    实质审查的生效

  • 2019-05-17

    公开

    公开

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