科研证明
文献服务
退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN104157308B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-06-16
原文格式PDF
申请/专利权人 中国人民解放军国防科学技术大学;湖南晟芯源微电子科技有限公司;
申请/专利号CN201410348957.5
发明设计人 李文晓;李建成;李聪;尚靖;王震;吴建飞;王宏义;谷晓忱;李浩;
申请日2014-07-22
分类号
代理机构北京中济纬天专利代理有限公司;
代理人胡伟华
地址 410073 湖南省长沙市开福区德雅路109号
入库时间 2022-08-23 09:57:38
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-06-16
授权
2014-12-17
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 16/26 申请日:20140722
实质审查的生效
2014-11-19
公开
机译: 使用标准0.35微米以下CMOS工艺的栅极击穿结构的非易失性存储器阵列解码器
机译: 在标准亚0.35微米CMOS工艺中使用栅极击穿结构的非易失性存储器阵列
机译: 在低电源电压下检测CMOS工艺兼容保险丝状态的差分电压检测电路
机译:与标准CMOS工艺兼容的单多晶硅EEPROM单元结构
机译:差分温度传感器完全兼容0.35-μmCMOS工艺
机译:完全兼容CMOS的差分多次可编程非易失性存储器的耐压电路设计
机译:适用于28纳米以下技术的高密度逻辑CMOS工艺兼容非易失性存储器
机译:通过浮栅结构和技术适应标准CMOS工艺。
机译:综合性能准非易失性存储器与化学气相沉积的大规模制备兼容
机译:标准CMOS工艺制造的光电双控制负差分电阻器件
机译:用于临时标准95B(Is-95B)收发器的软件通信体系结构(sCa)兼容软件定义无线电设计