一种耐高温柔性衬底微晶硅薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及一种耐高温柔性衬底微晶硅薄膜的制备方法，属于表面工程技术领域。该方法以聚奈二甲酸乙二醇酯和氧化锡锑为原料制得自制耐高温柔性衬底，再将甲硅烷和氢气利用空心阴极放电进行薄膜沉积最终制得柔性衬底微晶薄膜，弥补了传统柔性衬底只能在低温下进行沉积影响沉积速率的不足，而且耐温性强的自制柔性衬底又避免了传统柔性衬底因热变形导致与薄膜结合不好，从而降低电池转化效率的问题，使得本发明制得的柔性衬底微晶硅薄膜具有质量轻、不易破碎、可折叠、可卷曲等优点，易于大面积生产，便于运输，具有很高的光电转化效率。