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减薄替代抛光及后序清洗的衬底加工方法

摘要

减薄替代抛光及后序清洗的衬底加工方法,属于硅片加工领域,为避免抛光过程中对衬底片表面TTV影响,该方法:根据对金刚砂粒径的要求,选择25000以上材质目数,对硅片进行加工;保持硅片始终在减薄机主轴与吸盘角度状态在0um‑11um‑20um之间;将高目数磨轮放置在纯水浇注条件下;使用修刀板将磨轮中的磨牙进行修整,使用钢制块硅进行校准,保证磨牙与硅片形成加工角度在5mm‑5.02mmm之间;将陶瓷吸盘转速控制在100rpm‑300rpm,主轴转速控制在2000rpm‑3000rpm;加工过程中使用范围在4L/min‑7L/min冷却水流量控制;调整减薄机主轴进给程序四刀循序磨削控制。

著录项

  • 公开/公告号CN104347357B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-06-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 吉林华微电子股份有限公司;

    申请/专利号CN201410466023.1

  • 申请日2014-09-12

  • 分类号

  • 代理机构长春菁华专利商标代理事务所(普通合伙);

  • 代理人陶尊新

  • 地址 132013 吉林省吉林市深圳街99号

  • 入库时间 2022-08-23 09:57:23

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-06-23

    授权

    授权

  • 2015-03-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20140912

    实质审查的生效

  • 2015-02-11

    公开

    公开

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