法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-06-23
授权
授权
2015-03-11
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20140912
实质审查的生效
2015-02-11
公开
公开
机译: 用于在电子领域的金刚石结构上制造半导体的过程中使用的多晶金刚石薄层制造方法,该方法包括去除衬底,并对金刚石层进行抛光和减薄以获得抛光面
机译: 垫调节单元和包括其的单晶片型衬底抛光装置,以及清洗抛光垫的垫调节方法
机译: 在用至少一种自由垂直流动的液体清洗设备的抛光垫的同时抛光衬底的方法和设备