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半导体激光器件和使用该器件的光拾取器

摘要

本发明公开了一种适于大规模生产的半导体激光器件以及应用激光器件的光拾取器。其可以改善导线布置,并使器件小型化。该半导体激光器件包括:多根引线,其穿过一绝缘框架构件的两侧面的每一侧面设置,使其从外部进入该绝缘框架构件的内部;至少一半导体激光元件和一光接收元件安装在该绝缘框架构件内部或其上;以及多根导线,布置在该绝缘框架构件内部,以将该引线连接到该半导体激光元件和该光接收元件的电极。其中,在该绝缘框架构件内部,该引线中至少一根的末端向内延伸得比位于绝缘框架构件内部的元件安装部分的边缘更远,所述边缘朝向与所述至少一根引线穿过该绝缘框架构件同一侧设置的至少另一根引线的末端。

著录项

  • 公开/公告号CN1243401C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2006-02-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 夏普公司;

    申请/专利号CN03103427.6

  • 发明设计人 八木有百实;松原和德;

    申请日2003-01-30

  • 分类号H01S5/022(20060101);G11B7/125(20060101);H01L23/02(20060101);

  • 代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人陶凤波;侯宇

  • 地址 日本大阪府

  • 入库时间 2022-08-23 08:58:22

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-03-26

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01S 5/022 授权公告日:20060222 终止日期:20130130 申请日:20030130

    专利权的终止

  • 2006-02-22

    授权

    授权

  • 2003-10-29

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-08-13

    公开

    公开

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