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半导体激光器件、其制造方法以及使用其的光学拾取器件

摘要

本发明提供一种具有高可靠性和理想的温度特性同时是高功率器件的半导体激光器件。在衬底上形成有源层以及其间夹置该有源层的两个覆层。所述覆层中的一个形成台面形状的脊,并且该脊包括分开成至少两个分支的波导区域。利用这种结构,减小了注入到有源层的后刻面部分中的载流子密度,由此可以改善半导体激光器的温度特性。同时该器件包括一个区域,在该区域上,脊底部宽度连续变化,脊底部宽度在刻面附近是常数。

著录项

  • 公开/公告号CN1848566A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2006-10-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 松下电器产业株式会社;

    申请/专利号CN200610006897.4

  • 发明设计人 高山彻;

    申请日2006-02-09

  • 分类号H01S5/22;H01S5/343;G11B7/125;

  • 代理机构永新专利商标代理有限公司;

  • 代理人王英

  • 地址 日本大阪府

  • 入库时间 2023-12-17 17:46:56

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-03-24

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2008-01-30

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-10-18

    公开

    公开

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