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带有具有两个堆叠的磁性隧道结(MTJ)部件的元件的存储器

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摘要

本发明公开了一种具有存储器元件(每个带有两个磁性隧道结(MTJ)部件)的磁性存储器。每个元件中的部件借助互补数据进行区别编程。每个元件的部件被堆叠成一个在另一个之上，如此该元件不需要比单个MTJ部件更多的基板面积。

公开/公告号CN104081463B

专利类型发明专利
公开/公告日2017-06-13

原文格式PDF
申请/专利权人英特尔公司;
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申请/专利号CN201180075812.7
发明设计人 B·S·多伊尔;A·雷什欧迪伊;Y·J·李;C·C·郭;K·奥乌兹;D·L·肯克;R·S·周;R·戈利扎德莫亚拉德;
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申请日2011-12-22
分类号G11C11/16(20060101);H01L43/08(20060101);H01L27/22(20060101);
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人刘瑜;王英
地址美国加利福尼亚
入库时间 2022-08-23 09:57:19

1. 带有具有两个堆叠的磁性隧道结(MTJ)部件的元件的存储器 [P] . 中国专利： CN104081463B . 2017.06.13
2. 磁性隧道结(MTJ)存储元件和具有MTJ的自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)单元 [P] . 中国专利： CN105702699A . 2016-06-22
3. 2 MTJ MEMORY WITH ELEMENTS HAVING TWO STACKED MAGNETIC TUNNELING JUNCTION MTJ DEVICES [P] . 韩国专利： KR101627591B1 . 2016-06-08

机译： 2个具有两个堆叠的磁性隧道结MTJ器件的MTJ存储器
4. Magnetic tunnel junction (MTJ) storage element and spin transfer torque magnetoresistive random access memory (STT-MRAM) cells having an MTJ [P] . 美国专利： US9368716B2 . 2016-06-14

机译：具有MTJ的磁性隧道结（MTJ）存储元件和自旋传递扭矩磁阻随机存取存储器（STT-MRAM）单元
5. MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM) ARRAY WITH MAGNETIC TUNNEL JUNCTION (MTJ) CELLS AND REMOTE DIODES [P] . MY118271A . 2004-09-30

机译：带有磁性隧道结（MTJ）细胞和远程二极管的磁性随机存取存储器（MRAM）阵列