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混合DRAM存储器及降低该DRAM存储器刷新时功耗的方法

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本发明公开的一种混合DRAM存储器及降低该DRAM存储器刷新时功耗的方法，通过将非易失性存储器与DRAM主存储器相结合，并利用非易失性存储器中指定的存储单元替代DRAM主存储器中的尾端存储单元，从而大大提高了刷新周期，降低刷新频率，极大地降低了DRAM主存储器的刷新功耗。

著录项

公开/公告号CN103810126B

专利类型发明专利
公开/公告日2017-06-13

原文格式PDF
申请/专利权人上海新储集成电路有限公司;
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申请/专利号CN201410040107.9
发明设计人景蔚亮;陈邦明;
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申请日2014-01-27
分类号G06F13/28(20060101);
代理机构31272 上海申新律师事务所;
代理人吴俊
地址 201500 上海市金山区亭卫公路6505号2幢8号
入库时间 2022-08-23 09:57:15

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-06-13

授权

授权
2014-06-18

实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 13/28 申请日:20140127

实质审查的生效
2014-05-21

公开

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