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DRAM FOR SELECTIVELY OPERATING RESPONSIVE TO AUTO-REFRESH COMMAND, MEMORY FOR CONTROLLING AUTO-REFRESH OPERATION THEREOF, MEMORY SYSTEM INCLUDING THE DRAM AND MEMORY, AND OPERATING METHODS THEREOF

机译:用于选择性地对自动刷新命令进行操作的DRAM,用于控制其自动刷新操作的存储器,包括该DRAM和存储器的存储器系统及其操作方法

摘要

Memory that is disclosed herein is the auto-refresh mode is set after the auto-refresh command in response to the input of the auto-refresh means configured to generate an enable signal; And the auto-a memory core is configured to perform the refresh operation in response to a refresh enable signal auto.
机译:响应于配置为产生使能信号的自动刷新装置的输入,在自动刷新命令之后设置自动刷新模式的存储器。并且自动a存储核心被配置为响应于刷新使能信号auto而执行刷新操作。

著录项

  • 公开/公告号KR100634440B1

    专利类型

  • 公开/公告日2006-10-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20040089950

  • 发明设计人 조성규;

    申请日2004-11-05

  • 分类号G11C11/40;G11C11/401;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 21:22:47

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