公开/公告号CN102453862B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-06-23
原文格式PDF
申请/专利权人 信越化学工业株式会社;
申请/专利号CN201110322364.8
申请日2011-10-21
分类号C23C14/06(20060101);C23C14/34(20060101);G03F1/00(20120101);H01L21/027(20060101);
代理机构11219 中原信达知识产权代理有限责任公司;
代理人杨海荣;穆德骏
地址 日本东京都
入库时间 2022-08-23 09:57:13
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-06-23
授权
授权
2013-11-20
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/06 申请日:20111021
实质审查的生效
2012-05-16
公开
公开
机译: 溅射靶材含硅膜形成方法及光掩模空白
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机译: 溅射靶材,含硅膜形成方法及光掩模坯料