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机译:通过移动掩模溅射沉积的硅膜的低温取向
Research and Development Laboratories, Sprague Electric Company, North Adams, Massachusetts;
机译:铜溅射硅通孔在低温下溅射沉积的TiN膜的特性
机译:低温下通过反应溅射和等离子增强CVD沉积的氮化硅薄膜的特性
机译:低温磁控溅射沉积本征和掺杂纳米晶硅薄膜的电子传输机理
机译:射频磁控溅射法在铁氟龙衬底上溅射纳米晶硅薄膜的沉积温度依赖性
机译:射频反应磁控溅射在低温下沉积在硅上的压电氮化铝薄膜的声波器件特性
机译:低温下大功率脉冲磁控溅射在铀上沉积的TiN膜
机译:磁控溅射从复合靶材上沉积的低氧化学计量外延ZrB2薄膜:沉积温度和溅射功率的影响