法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-06-06
授权
授权
2016-05-04
实质审查的生效 IPC(主分类):G05F 3/26 申请日:20160119
实质审查的生效
2016-04-06
公开
公开
机译: CMOS工艺中具有高PSRR和低电压的无OPAMP带隙基准电压源
机译: 具有改善操作性能的多发射极型双极结型晶体管,一种双极CMOS DMOS器件,一种制造多发射极型双极结型晶体管的方法以及一种制造双极CMOS DMOS的方法
机译: 一种CMOS器件,其包括具有后继漏极和源极区的NMOS晶体管以及在漏极和源极区中具有硅/锗材料的PMOS晶体管