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激光诱导下的氮化镓P型欧姆接触制备方法

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涉及一种激光诱导下GaN P-型欧姆接触制备方法。其步骤为在GaN表面淀积金属锌，将Zn/GaN预热，激光辐照，用激光诱导方法掺Zn的样品表面上，淀积Ni(70nm)/Au(200nm)或Zn(70nm)/Au(200nm)双层金属，光刻形成电极，退火。对中、强型p-型掺杂的GaN基材料和弱p型掺杂的GaN样品制备欧姆接触均有效。对于弱p-型掺杂的GaN样品：当采用Ni/Au双层金属接触时，比接触电阻可达2.10×10

著录项

公开/公告号CN1240610C

专利类型发明授权
公开/公告日2006-02-08

原文格式PDF
申请/专利权人厦门大学;
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申请/专利号CN200310121092.0
发明设计人陈朝;田洪涛;
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申请日2003-12-24
分类号
代理机构厦门南强之路专利事务所;
代理人马应森
地址 361005 福建省厦门市思明南路422号
入库时间 2022-08-23 08:58:20

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-02-19

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01B 21/06 授权公告日:20060208 终止日期:20121224 申请日:20031224

专利权的终止
2006-02-08

授权

授权
2005-02-16

实质审查的生效

实质审查的生效
2004-12-15

公开

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