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具有多等级单元的无形成电阻式随机存储器的结构和方法

摘要

本发明提供用于操作多等级电阻式随机存取存储器(RRAM)单元的方法的一个实施例,该存储器单元具有连接在一起的电流控制器件和RRAM器件。该方法没有“形成”步骤,并且包括通过电流控制器件控制电流等级中的一个将RRAM器件设定为电阻等级中的一个。设定RRAM器件包括对RRAM器件的顶部电极施加第一电压以及对RRAM器件的底部电极施加第二电压。第二电压高于第一电压。本发明还提供了具有多等级单元的无形成电阻式随机存储器的结构和方法。

著录项

  • 公开/公告号CN103514947B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-06-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;

    申请/专利号CN201310234138.3

  • 发明设计人 蔡竣扬;丁裕伟;黄国钦;

    申请日2013-06-13

  • 分类号

  • 代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司;

  • 代理人章社杲

  • 地址 中国台湾新竹

  • 入库时间 2022-08-23 09:56:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-06-09

    授权

    授权

  • 2014-02-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 11/56 申请日:20130613

    实质审查的生效

  • 2014-01-15

    公开

    公开

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