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具有超低导电渝渗值的三元共混物基复合材料及其制备方法

摘要

本发明公开了具有超低导电渝渗值的三元共混物基复合材料及其制备方法。该复合材料是由40vol%~45vol%的聚偏氟乙烯,40vol%~55vol%的高密度聚乙烯,20vol%聚苯乙烯和0.025vol%~0.5vol%多壁碳纳米管经熔融共混制备得到。多壁碳纳米管在熔融混合过程中能够有效地选择性分布在聚苯乙烯界面相,相比双渝渗结构型导电复合材料以及填充型聚合物基导电复合材料,本发明得到的三元共混物基复合材料的导电渝渗值更低,这种特殊的多层次结构使得三元共混物基复合材料的导电渝渗值低至0.022vol%,达到超低的填充水平。

著录项

  • 公开/公告号CN104725749B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-05-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 四川大学;

    申请/专利号CN201510144607.1

  • 发明设计人 尹波;窦睿;邵艳;李双林;杨鸣波;

    申请日2015-03-31

  • 分类号C08L27/16(20060101);C08L23/06(20060101);C08L25/06(20060101);C08K7/24(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 610065 四川省成都市武侯区一环路南一段24号

  • 入库时间 2022-08-23 09:56:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-05-17

    授权

    授权

  • 2015-07-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):C08L 27/16 申请日:20150331

    实质审查的生效

  • 2015-06-24

    公开

    公开

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