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包括凸点下金属化层的微机电系统器件

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摘要

本发明涉及一种MEMS器件，其包括凸点下金属化层(4)‑UBM‑以经由与基板的倒装式接合来接触该器件。UBM(4)放置在MEMS器件的表面上并且靠近表面的角部。另外，UBM(4)的形状适应于角部的形状。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-01-09

专利权的转移 IPC(主分类):B81B 7/00 登记生效日:20171221 变更前: 变更后: 申请日:20110210

专利申请权、专利权的转移
2017-05-10

授权

授权
2017-05-10

授权

授权
2013-12-04

实质审查的生效 IPC(主分类):B81B 7/00 申请日:20110210

实质审查的生效
2013-12-04

实质审查的生效 IPC(主分类):B81B 7/00 申请日:20110210

实质审查的生效
2013-11-06

公开

公开
2013-11-06

公开

公开

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1. 包括凸点下金属化层的微机电系统器件 [P] . 中国专利： CN103384639B . 2017.05.10
2. 一种凸点下金属化层构件及制备方法 [P] . 中国专利： CN106356352A . 2017-01-25
3. Semiconductor device includes semiconductor chip that includes upper and lower contact plates which are integrally connected to upper chip metallization and lower chip metallization by upper and lower connecting layers [P] . 德国专利： DE102012202281A1 . 2013-08-22

机译：半导体器件包括半导体芯片，该半导体芯片包括上和下接触板，该上和下接触板通过上和下连接层一体地连接到上芯片金属化层和下芯片金属化层
4. Bump structure with underbump metallization structure and integrated redistribution layer [P] . 美国专利： US9190373B2 . 2015-11-17

机译：具有凸点下金属化结构和集成重新分布层的凸点结构
5. Under-bump metallization layers and electroplated solder bumping technology for flip-chip [P] . 美国专利： US7199036B2 . 2007-04-03

机译：凸块下凸点金属化层和电镀焊料凸点技术