包括具有底部氮化物衬垫和上氧化物衬垫的浅沟槽隔离(STI)区域的电子器件和相关方法

摘要

一种电子器件可以包括衬底、覆盖衬底的掩埋氧化物(BOX)层、覆盖BOX层的至少一个半导体器件和在衬底中并且与至少一个半导体器件相邻的至少一个STI区域。至少一个STI区域与衬底限定侧壁表面并且可以包括对侧壁表面的底部分加衬的氮化物层、对侧壁表面的在底部分以上的上部分加衬的氧化物层和在氮化物与氧化物层之间的绝缘材料。