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公开/公告号CN104347475B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-05-17
原文格式PDF
申请/专利权人 英飞凌科技股份有限公司;
申请/专利号CN201410385790.X
发明设计人 A.布赖梅泽尔;E.格里布尔;O.赫伯伦;A.莫泽尔;H-J.舒尔策;S.福斯;
申请日2014-08-07
分类号H01L21/762(20060101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人申屠伟进;胡莉莉
地址 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号
入库时间 2022-08-23 09:55:48
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-05-17
授权
2015-03-11
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20140807
实质审查的生效
2015-02-11
公开
机译: 产生沟槽隔离区的方法和具有沟槽隔离区的集成电路结构
机译: 沟槽晶体管具有有源区域,该有源区域被嵌入边缘电极的边缘沟槽包围,其中有源区域具有台面结构,该结构部分限制了边缘沟槽
机译: 具有沟槽隔离区的边缘终端结构
机译:具有双重减小的表面场结终止扩展结构的V槽沟槽栅SiC MOSFET
机译:具有电流终止结构的平面无边缘硅探测器的仿真
机译:深度p环沟槽终止:一种创新且具有成本效益的减少硅面积的方法
机译:具有深度沟槽隔离过程的600V类反向阻断IGBT的超小隔离区(Ti-RB-IGBT)
机译:具有沟槽底部源极触点的高密度,低导通电阻的沟槽横向功率MOSFET。
机译:通过微流控纺丝技术容易地制备和表征具有沟槽结构的藻酸盐微纤维
机译:V-沟槽沟槽栅极SiC MOSFET,具有双重减小的表面场结终端延伸部结构
机译:具有引导边缘和边缘高边提升装置的6% - 对称 - 圆形翼型翼型截面的二维风洞隧道结构研究