一种反极性AlGaInP基发光二极管及其制造方法

摘要

一种反极性AlGaInP基发光二极管及其制造方法，属于光电子技术领域，先制成发光二极管外延片，并在外延片上制作一全反射镜结构层；将具有全反射镜结构层的外延片与永久衬底通过一金属粘结层键合；经去除临时衬底、缓冲层、阻挡层和ｎ型砷化镓层，将第一粗化层表面粗化；在第一粗化层和ｎ型砷化镓欧姆接触层上制作图案化的扩展电极；以掩膜保护已有的图案化扩展电极，将掩膜保护层以外区域的第一粗化层和ｎ型砷化镓欧姆接触层去除，并将第二粗化层粗化；主电极形成于第二粗化层上。本发明利用粗化外延层结构和掩膜保护，提高了电极与外延层的附着性和完整性，确保发光器件工作电压稳定，极大地提升了产品的质量和良率。