一种杂质分凝肖特基源漏器件及其制备方法

摘要

杂质分凝肖特基源漏器件，包括一个垂直方向的环状半导体沟道，一个环状栅电极，一个环状栅介质层，一个源区，一个杂质分凝区，一个漏区，一个杂质分凝区，一个半导体衬底；源区位于垂直沟道的底部，与衬底相接；杂质分凝区介于源区与垂直沟道之间；漏区位于垂直沟道的顶部；杂质分凝区介于漏区与垂直沟道之间；栅介质层和栅电极呈环状围绕住垂直沟道；源区和漏区分别与沟道形成相同势垒高度的肖特基接触；源端和漏端杂质分凝区为同种杂质高掺杂区域。该结构利用肖特基势垒源漏结构降低了热预算、减小了漏电流、简化了工艺要求，利用杂质分凝减薄了势垒、增大了驱动电流，并利用垂直沟道、环形栅结构突破了集成加工光刻极限限制，提高了集成度。