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阶梯状组分渐变的AlN薄膜型冷阴极

摘要

一种阶梯状组分渐变的AlN薄膜型冷阴极,包括:一n型SiC衬底;一n型金属电极,其制作在n型SiC衬底下表面;一AlN薄膜型冷阴极,其外延生长在n型SiC衬底上;一金属阳极,其位于AlN薄膜型冷阴极的上面,且不与AlN薄膜型冷阴极接触;一高压源,其正极连接金属阳极;一电流计,其正极连接高压源,负极与n型金属电极连接。本发明是利用负电子亲和势的优势,将电子发射到真空中。

著录项

  • 公开/公告号CN104658829B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-05-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN201510094612.6

  • 申请日2015-03-03

  • 分类号H01J1/304(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人任岩

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2022-08-23 09:55:14

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-05-03

    授权

    授权

  • 2015-06-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 1/304 申请日:20150303

    实质审查的生效

  • 2015-05-27

    公开

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