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公开/公告号CN104658829B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-05-03
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN201510094612.6
发明设计人 陈平;赵德刚;朱建军;刘宗顺;江德生;杨辉;
申请日2015-03-03
分类号H01J1/304(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人任岩
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2022-08-23 09:55:14
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-05-03
授权
2015-06-24
实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 1/304 申请日:20150303
实质审查的生效
2015-05-27
公开
机译: AlN AlN AlN AlN AlN烧结体AlN基质及其制备方法
机译: 具有渐变或阶梯状稀释的氮化物活性区域的短波长红外光电子器件
机译:通过使用渐变AlxGa1-xN / AlN多缓冲层倾斜在AlN /蓝宝石模板上生长的Al0.45Ga0.55N外延层中的位错倾斜来放松压缩应变
机译:Si {sub} 3N {sub} 4-Al {sub} 2O {sub} 3-AlN-SiO {sub} 2-TiN-TiO {区域中的Si-Al-ON-Ti系统的组分相互作用的理化研究sub} 2-II:子系统Si {sub} 3N {sub} 4-AlN,TiN-AlN,Al {sub} 2O {sub} 3-AlN
机译:使用碳纳米管的冷阴极电子束泵送,Al_(0.73)GA_(0.27)N / ALN多量子孔的大面积远紫外-C
机译:ALN层对非易失性存储器应用锡薄膜型号型号的双极电阻切换行为的影响
机译:液压结构逐渐变化的频道网络中逐渐变化的计算=用液压结构计算频道网络中逐渐变化的流动
机译:通过混合电子束熔化/热等静压粉末加工来增材制造具有各向同性或渐变特性的钛组分
机译:了解酸性介质中阶梯状铂表面中阶梯状位点的一氧化碳预氧化和本征催化活性
机译:具有渐变界面组分轮廓的半导体量子阱结构的光致发光线宽系统。 (重新公布新的可用性信息)。