填充微电子器件中的孔的方法

摘要

一种用于金属化半导体集成电路装置中的硅通孔结构的方法，所述方法包括：在填充周期期间，使电路的极性反向一时间间隔以在所述金属化衬底上产生阳极电势以及使整平剂从所述孔内的铜表面脱附，然后通过将所述孔内的铜表面重建为电路中的阴极来恢复铜沉积，从而产生铜填充的孔结构。