首页> 中国专利> 高功率单裸片半导体封装

高功率单裸片半导体封装

摘要

提供了一种高功率单裸片半导体封装。半导体封装包括单个半导体裸片以及导电和导热的基底。单个半导体裸片包含半导体主体,该半导体主体具有相对的第一和第二表面以及在第一和第二表面之间的绝缘面。单个半导体裸片进一步包含在第一表面上的第一电极和在第二表面上的第二电极。单个半导体裸片具有在第一和第二表面之间测量的限定的厚度,沿着绝缘面中的一个绝缘面测量的限定的宽度,以及沿着绝缘面中的另一个绝缘面测量的限定的长度。基底被附着于在单个半导体裸片的第二表面处的第二电极,并且具有与单个半导体裸片相同的长度和宽度。

著录项

  • 公开/公告号CN104103608B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-04-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英飞凌科技股份有限公司;

    申请/专利号CN201410136465.X

  • 发明设计人 吴国财;王明中;

    申请日2014-04-04

  • 分类号H01L23/34(20060101);H01L29/06(20060101);H01L21/50(20060101);

  • 代理机构11256 北京市金杜律师事务所;

  • 代理人王茂华

  • 地址 德国诺伊比贝尔格

  • 入库时间 2022-08-23 09:54:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-04-12

    授权

    授权

  • 2014-11-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/34 申请日:20140404

    实质审查的生效

  • 2014-10-15

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号