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形成具有响应于外部刺激的有源区域的半导体管芯的方法

摘要

本发明涉及形成具有响应于外部刺激的有源区域的半导体管芯的方法。半导体器件具有第一半导体管芯,该第一半导体管芯包括在第一半导体管芯的表面上形成的有源区域。第一半导体管芯的有源区域可包括传感器。密封剂沉积在第一半导体管芯上方。导电层在密封剂和第一半导体管芯上方形成。绝缘层可以在第一半导体管芯上方形成。开口在有源区域上方的绝缘层中形成。透射层在包括有源区域的第一半导体管芯上方形成。透射层包括光学电介质材料或者光学透明或半透明材料。有源区域响应于穿过透射层的外部刺激。多个凸块贯穿密封剂形成并且电连接到导电层。第二半导体管芯毗邻第一半导体管芯布置。

著录项

  • 公开/公告号CN103000574B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-04-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 新科金朋有限公司;

    申请/专利号CN201210339868.5

  • 发明设计人 B.J.韩;I.K.辛;H.H.关;

    申请日2012-09-14

  • 分类号H01L21/768(20060101);H01L23/522(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人马永利;卢江

  • 地址 新加坡新加坡市

  • 入库时间 2022-08-23 09:54:47

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-04-12

    授权

    授权

  • 2014-07-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20120914

    实质审查的生效

  • 2013-03-27

    公开

    公开

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