互补金属氧化物半导体(CMOS)器件和方法

摘要

公开了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)器件及其形成方法。在一特定实施例中，CMOS器件包括硅基板、硅基板上的介电绝缘材料、以及介电绝缘材料上的延伸层。该CMOS器件还包括与沟道接触并与延伸区接触的栅极。该CMOS器件还包括与延伸区接触的源极和与延伸区接触的漏极。该延伸区包括与源极和栅极接触的第一区并包括与漏极和栅极接触的第二区。