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公开/公告号CN104299897B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-04-05
原文格式PDF
申请/专利权人 格罗方德半导体公司;
申请/专利号CN201410339986.5
发明设计人 K·特雷维诺;Y-H·林;G·P·威尔斯;C·H·孟;T·韩;H·S·王;
申请日2014-07-17
分类号H01L21/28(20060101);H01L29/423(20060101);
代理机构11314 北京戈程知识产权代理有限公司;
代理人程伟;王锦阳
地址 英属开曼群岛大开曼岛
入库时间 2022-08-23 09:54:24
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-04-05
授权
2015-02-18
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20140717
实质审查的生效
2015-01-21
公开
机译: 具有具有改进的阈值电压性能的替代金属栅极的集成电路及其制造方法
机译: 高k金属栅极晶体管阈值电压控制和驱动电流改善的方法和结构。
机译:金属成分和氧/氮分布对栅极最后一个高k金属栅极的p沟道金属氧化物半导体晶体管阈值电压的影响
机译:新型线性梯度二元金属合金栅极无结双栅极金属氧化物半导体场效应晶体管的阈值电压建模和性能比较
机译:具有三元Hf_xMo_yN_z金属栅极和Gd_2O_3高K栅极电介质的p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的阈值电压可调性
机译:动态阈值电压镶嵌金属栅极栅极MOSFET(DT-DMG-MOS),具有低阈值电压,高驱动电流和均匀电气特性
机译:机械应力对硅和锗金属氧化物半导体器件的影响:沟道迁移率,栅极隧穿电流,阈值电压和栅极堆叠
机译:化学集成电路:互补金属氧化物半导体集成电路上的化学系统
机译:基于金属栅极功函数的阈值电压灵敏度基于LSTP技术的双栅极n-FinFET结构的性能评估
机译:多点室温下的阈值电压改善和栅极漏电流降低操作单电子晶体管(RT-sET)