公开/公告号CN104362088B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-03-29
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;
申请/专利号CN201410482674.X
申请日2014-09-19
分类号
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司;
代理人丁纪铁
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
入库时间 2022-08-23 09:54:13
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-03-29
授权
授权
2015-03-25
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/285 申请日:20140919
实质审查的生效
2015-02-18
公开
公开
机译: 具有高密度等离子体氧化物层作为多晶硅间绝缘层的分离栅的制造方法
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