半导体装置制造时的低热预算方案

摘要

本发明涉及半导体装置制造时的低热预算方案，在本发明的态样中，揭露的是形成半导体装置的方法，其中非晶区是形成于制造期间的早期阶段，并且非晶区是保存于后续处理过程顺序期间，以及具有非晶区的中间半导体装置结构是设于制造期间的早期阶段。本文中，栅极结构是设于半导体基底上方，并且非晶区是毗连栅极结构而成。源极/漏极扩展区或源极/漏极区是在非晶区中形成。在一些描述性具体实施例中，可将氟植入非晶区内。在形成源极/漏极扩展区及/或源极/漏极区后，进行快速热退火程序。