公开/公告号CN103296197B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-04-12
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN201210202815.9
申请日2012-06-15
分类号
代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司;
代理人章社杲
地址 中国台湾新竹
入库时间 2022-08-23 09:54:05
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-04-12
授权
授权
2013-10-16
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 43/08 申请日:20120615
实质审查的生效
2013-09-11
公开
公开
机译: 磁隧道结型磁性随机存取存储器阵列,磁隧道结型磁性随机存取存储器阵列,以及选择和记录磁隧道结型磁性随机存取存储器的方法
机译: 具有使用磁隧道结(MTJ)器件的读写电路的磁随机存取存储器
机译: 自旋力矩(SOT)磁隧道结(MTJ)(SOT-MTJ)可采用垂直和平面自由层磁各向异性来实现垂直磁方向切换,这对于系统是合适的,适合于系统使用