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磁随机存取存储器中的磁隧道结(MTJ)

摘要

公开了可以作为磁随机存取存储器单元使用的磁隧道结(MTJ)的方法和装置。MTJ包括自由层和绝缘层。MTJ还包括具有第一区、第二区和第三区的固定层。第二区具有第一长度和第一厚度,以及第一区和第三区具有第二长度和第二厚度。第一厚度与第二厚度的比率可以大于1.2。第二长度与第一长度的比率大于0.5。第一厚度可以大于固定层材料的自旋扩散长度。这样形成的MTJ导致MTJ的隧穿磁电阻比增大而临界切换电流降低。本发明提供了磁随机存取存储器中的磁隧道结(MTJ)。

著录项

  • 公开/公告号CN103296197B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-04-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;

    申请/专利号CN201210202815.9

  • 发明设计人 郑凯文;于淳;陈志明;

    申请日2012-06-15

  • 分类号

  • 代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司;

  • 代理人章社杲

  • 地址 中国台湾新竹

  • 入库时间 2022-08-23 09:54:05

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-04-12

    授权

    授权

  • 2013-10-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 43/08 申请日:20120615

    实质审查的生效

  • 2013-09-11

    公开

    公开

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