减少或避免来自蚀刻包括磁随机存取存储器（MRAM）器件的磁隧道结（MTJ）器件的金属沉积

摘要

公开的各方面包括减少或避免来自蚀刻磁隧道结(MTJ)器件的金属沉积。在一个示例中，MTJ器件的底部电极的宽度被设置为小于MTJ器件的MTJ堆叠的宽度。以这种方式，可以减少或避免底部电极的蚀刻以减少或避免由于过蚀刻MTJ器件而导致的金属再沉积以避免相邻器件之间的水平短路。在另一示例中，种子层嵌入MTJ器件的底部电极中。以这种方式，MTJ堆叠的高度减小以减少或避免由于过蚀刻MTJ器件而导致的金属再沉积。在另一示例中，MTJ器件包括底部电极中的具有的宽度也小于MTJ堆叠的宽度的嵌入种子层。