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一种基于聚焦离子束和MEMS加工工艺的可调控超材料阵列设计方法

摘要

本发明公开了一种利用聚焦离子束和MEMS加工工艺制备可调控超材料阵列的方法,可用于平面光学元部件构造,并应用于通信、电磁传感以及成像领域(包括毫米波、太赫兹、红外波段范围)。其优点如下:1)通过MEMS工艺加工得到悬浮型双金属谐振环超材料阵列,尺寸可控制在微米以及亚微米量级,其负折射率特性的谐振频率可在毫米波、太赫兹(THz)或红外波段;2)通过FIB辐照,在内谐振环固支端引入应力,通过控制FIB的加速电压、轰击束流、作用时间和辐照图案,可精确控制超材料单元中悬浮内谐振环结构的翘曲角度(‑40°至+120°);3)超材料阵列的负折射率的谐振频率可调,通过选择加工参数,可精确控制电磁波的振幅、相位以及出射方向。

著录项

  • 公开/公告号CN105347295B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-03-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京大学;

    申请/专利号CN201510574495.3

  • 发明设计人 吴文刚;毛逸飞;樊姣荣;谌灼杰;

    申请日2015-09-11

  • 分类号

  • 代理机构北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人贾晓玲

  • 地址 100871 北京市海淀区成府路202号

  • 入库时间 2022-08-23 09:53:55

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-03-29

    授权

    授权

  • 2016-03-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):B81C 1/00 申请日:20150911

    实质审查的生效

  • 2016-02-24

    公开

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