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一种互不固溶铜‑碳过饱和固溶体的制备方法

摘要

本发明涉及一种材料的表面加工技术,尤其涉及一种互不固溶Cu‑C过饱和固溶体的制备方法。该复合材料基体通过粉末冶金法制的,然后利用强流脉冲电子束对材料表层进行辐照处理,制备具有铜‑碳过饱和固溶体的复合材料。扫描电子显微镜和透射电子显微镜观察显示:HCPEB辐照技术诱发各种晶体缺陷和超细晶结构为Cu、C原子之间扩散提供通道,X射线分析能谱显示(111)Cu峰向低角区偏移,C的衍射峰下降,可知成功地使部分C原子固溶到Cu晶格中,经计算固溶度最高达2.24%。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-08-17

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C22C 1/05 授权公告日:20170405 终止日期:20170827 申请日:20150827

    专利权的终止

  • 2017-04-05

    授权

    授权

  • 2017-04-05

    授权

    授权

  • 2015-12-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):C22C1/05 申请日:20150827

    实质审查的生效

  • 2015-12-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):C22C 1/05 申请日:20150827

    实质审查的生效

  • 2015-11-25

    公开

    公开

  • 2015-11-25

    公开

    公开

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