应用于约束等离子体反应室的半导体双镶嵌蚀刻制作过程

摘要

本发明揭示一种半导体双镶嵌蚀刻制作过程，利用一具有约束等离子体功能的蚀刻反应室，将半导体双镶嵌蚀刻制作过程中，原本于不同反应室中进行的介电层蚀刻、去光阻、去除阻挡层等几个步骤，于该约束等离子体反应室中连续完成。该约束等离子体反应室包含环绕于一个晶片的一个约束环及一个抗蚀刻的上电极板，可使上述步骤均于干净模式下进行。本发明不仅可减少该半导体双镶嵌制作过程所需的时间，且可大幅降低成本。