一种Pd/MoS₂/SiO₂/Si/SiO₂/In多结光探测器件及其制备方法

摘要

本发明公开一种Pd/MoS₂/SiO₂/Si/SiO₂/In多结光探测器件及其制备方法，其具有自驱动功能，在30mWcm^‑2白光照射下，器件产生的光激发电流密度达5.3mAcm^‑2；在光强较弱(1.0μWcm^‑2)的单色光条件下，仍表现出远高于其它同类型器件的光响应性能；当在器件上施加很小的偏置正电压时，在脉冲式的光照条件下，输出电流的方向可快速正负交替变化，从而实现快速的二进制光响应，显著提高了对微弱红外光信号的探测精度。本发明的光响应器件具有响应速度快、恢复时间短和周期性好等特点；其制备工艺简单、成品率高，适于规模化工业生产。